РУС | ENG

3.2.1 Композит со связностью 3-0

Как показано на рисунке 3.16,в композиционноммагнитоэлектрическом материале со связностью 3-0 пьезоэлектрическая фаза имеет связность во всех трех направлениях декартовой системы координат, а магнитострикционная фаза изолирована. Свойствакомпозиционногомагнитоэлектрического материала будут зависеть от параметров частиц, а также от граничных условий.

Рассмотрим модель композиционногомагнитоэлектрического материала со связностью 3-0 [63-66, 91]. При этом будем считать геометрические размеры намного меньшими по сравнению с длиной волны. Представим композиционныймагнитоэлектрический материал геометрической моделью (рис. 3.16) [49].

Рис. 3.16. Кубическая модель МЭ композита со связностью 3-0: 1– магнитострикционная фаза; 2-4–пьезоэлектрическая фаза; 5– электрод.

В данной кубической модели композиционный МЭ материал рассматривается как материал, состоящий из последовательного и параллельного соединения кубических ячеек со сторонами единичной длины. Очевидно, что для определения свойств композита можно рассматривать не весь материал целиком, а только одну кубическую ячейку. При этом магнитострикционная фаза (ячейка 1) окружена со всех сторон пьезоэлектрической фазой (ячейки 2, 3, 4). Таким образом, магнитострикционная фаза с нулевой связностью представлена кубиком со сторонойа. Следовательно, объеммагнитострикционнойфазы равен а3, а объем пьезоэлектрической фазы равен (1-а3).

Для получения эффективных материальных параметров композита используется метод усреднения, в соответствии с которым композит рассматривается сначала как структура, состоящая из пьезоэлектрической и магнитострикционной фаз. Уравнения (3.7) – (3.8) для деформации и электрического смещения ячеек, соответствующих пьезоэлектрической фазе, примут вид

nSi = nsijnTj + ndkinEk, (3.39)

nDk = ndki nTi + nεkn nEn, (3.40)

где n=2, 3, 4 – номер ячейки куба,

nSi–компоненты тензора деформаций n-ой ячейки;
nEk–компоненты вектора напряженности электрического поля;
nDk–компоненты вектора электрического смещения;
nTj–компоненты тензора напряжений;
nsij–коэффициенты податливости;
pdki–пьезоэлектрические модули;
pεkn–тензор диэлектрической проницаемости.

В уравнениях (3.39) и (3.40) не учтена сила тяжести, поскольку она мала по сравнению с внутренними силами, обусловленными взаимодействием фаз.

Уравнения (3.9) – (3.10) для деформации и магнитной индукции ячейки пьезомагнитнойфазы 4 будут иметь вид:

1Si = 1sij 1Tj + 1qki 1Hk (3.41)

1Bk = 1qki 1Ti + 1μkn 1Hn, (3.42)

где 1Si–компоненты тензоров деформаций магнитострикционной фазы;
1Tj–компоненты тензоров напряжений магнитострикционной фазы;
1sij–коэффициенты податливости;
1Hk–компоненты векторов напряженности магнитного поля;
1Bk–компоненты векторов магнитной индукции,
1qki–пьезомагнитные модули;
1μkn–тензор магнитной проницаемости.

Затем композит рассматривается как однородный материал, характеризуемый эффективными параметрами, При этом для этого материала справедливы соотношения (3.11) – (3.12) для компонент деформаций, электрической и магнитной индукций.

Эффективные параметры композита можно найти путем совместного решения уравнений (3.11) – (3.12) и (3.39) – (3.42). Для решения указанных уравнений необходимо записать граничные условия для деформаций и напряжений ячеек композита.

Граничные условия для деформаций, возникающих в ячейках кубика, имеют вид:

1S1 = 2S1, (3.43)

1S2 - 2S2 = 0, (3.44)

2S1 - 3S1 = 0, (3.45)

3S3 - 4S3 = 0, (3.46)

a 1S3 + (1-a) 2S3 - 3S3= 0, (3.47)

a2S2 + (1-a) 3S2 - 4S2 = 0. (3.48)

Определить граничные условия для механических напряжений в ячейках можно при использовании условий равновесия ячеек. Суммарная сила, действующая в направлении оси 1 на ячейку 4, равна 0:

1A11T1+2A12T1+3A13T1=4A14T1, (3.49)

где iAj– площадь поперечного сечения i-го кубика, перпендикулярная оси j.

Сила, действующая вдоль оси 1, для кубика 4 равна 0:

4T1=0. (3.50)

Запишем выражение для суммарной силы, действующей в направлении оси 2 для кубиков 3, 4, и учтем, чтосуммарная сила, действующая в направлении оси 2, равна 0:

3A23T2+4A24T2=0 (3.51)

Суммарная сила, действующая на кубик 3 в направлении оси 2, равна силам, действующим на кубики 1 и 2. Вследствие чего получаем следующее выражение:

1A21T2+2A22T2=3A23T2 (3.52)

Механическое напряжение, действующее на кубик 1 в направлении оси 3, равно механическому напряжению, действующему на кубик 2 в направлении оси 3. Вследствие чего получаем выражение:

1T3-2T3=0 (3.53)

Суммарная сила, действующая на кубики 2, 3, 4 в направлении оси 3, равна 0. Следовательно, получаем выражение:

2A32T3+3A33T3+4A34T3=0 (3.54)

Запишем граничные условия для составляющих напряженности электрического поля. Для кубиков 1, 2, 3 граничные условия в направлении оси 3 имеют вид:

a1E3+(1-a)2E3-3E3=0

Касательная составляющая напряженности электрического поля в кубике 3 в направлении оси 3, равна касательной составляющей напряженности электрического поля в кубике 4 в направлении оси 3.

3E3-4E3=0 (3.56)

Нормальные составляющие электрического смещения для кубиков 1 и 2 в направлении оси 3 равны, поэтому

1D3-2D3=0

Суммарный электрический заряд на электродах композита равен сумме произведений электрических смещений в кубиках на площади поперечного сечения:

2A32D3+3A33D3+4A34D3=s, (3.57)

где s – заряд на электродах.

Средние значения деформаций относительно осей 1, 2, 3 найдем по следующим формулам:

S1=a 1S1 + 4S1 (1-a), (3.58) S2=4S2, (3.59) S3=4S3 (3.60)

В результате с учетом (3.39) – (3.42) получаем систему уравнений:

(1s111T1+1s121T2+1s131T3+1q311H3)-( 2s112T1+2s122T2+2s132T3+2d312E3)=0, (1s211T1+1s221T2+1s231T3+1q321H3)-( 2s212T1+2s222T2+2s232T3+2d322E3)=0, (2s112T1+2s122T2+2s132T3+2d312E3)-( 3s113T1+3s123T2+3s133T3+3d313E3)=0, (3s313T1+3s323T2+3s333T3+3d333E3)-(4s314T1+4s324T2+4s334T3+4d334E3)=0, a(1s311T1+1s321T2+1s331T3+1q331H3)+ (1-a)( 2s312T1+2s322T2+2s332T3+2d332E3)- (3s313T1+3s323T2+3s333T3+3d333E3)=0, a(2s212T1+2s222T2+2s232T3+2d322E3)+ (1-a)( 3s213T1+3s223T2+3s233T3+3d323E3)- - (4s214T1+4s224T2+4s234T3+4d324E3)=0, (a2) 1T1+a(1-a)2T1+(1-a)3T1=0, 4T1=0, a3T2+(1-a)4T2=0, a1T2+(1-a)2T2-3T2=0, (3.61) 1T3-2T3=0, (a2) 2T3+a(1-a)3T3+(1-a)4T3=0, a1E3+(1-a)2E3-3E3=0, 3E3-4E3=0, (a2)( 2d312T1+2d322T2+2d332T3+2e332E3)+ a(1-a)( 3d313T1+3d323T2+3d333T3+3e333E3)+ (1-a)( 4d314T1+4d324T2+4d334T3+4e334E3)= s, d31E3+q31H3=S1, 1q31(1T1+1T2)+1q331T3+1m331H3=1B3

Система (3.61) представляет собой 16 уравнений и столько же неизвестных. Так как 4T1=0, то это напряжение может быть исключено из всех уравнений системы (3.23), в которой теперь остается 15 уравнений и столько же неизвестных.

Для нахождения эффективных параметров композита необходимо в систему (3.61) добавить уравнения, определяющие эффективные параметры композита и следующие из (3.11) – (3.12).

d31E3+q31H3=S1, (3.62)
d32E3+q32H3=S2, (3.63)
d33 E3+q33H3=S3, (3.64)
e33E333H3=D3, (3.65)
m33H3+ α 33E3=B3. (3.66)

В результате получаем новую систему уравнений:

(1s111T1+1s121T2+1s131T3+1q311H3)-( 2s112T1+2s122T2+2s132T3+2d312E3)=0, (1s211T1+1s221T2+1s231T3+1q321H3)-( 2s212T1+2s222T2+2s232T3+2d322E3)=0, (2s112T1+2s122T2+2s132T3+2d312E3)-( 3s113T1+3s123T2+3s133T3+3d313E3)=0, (3s313T1+3s323T2+3s333T3+3d333E3)-( 4s314T1+4s324T2+4s334T3+4d334E3)=0, a(1s311T1+1s321T2+1s331T3+1q331H3)+ (1-a)( 2s312T1+2s322T2+2s332T3+2d332E3)- (3s313T1+3s323T2+3s333T3+3d333E3)=0, a(2s212T1+2s222T2+2s232T3+2d322E3)+ (1-a)( 3s213T1+3s223T2+3s233T3+3d323E3)- -(4s214T1+4s224T2+4s234T3+4d324E3)=0, (a2) 1T1+a(1-a)2T1+(1-a)3T1=0, a3T2+(1-a)4T2=0, a1T2+(1-a)2T2-3T2=0, (3.67) 1T3-2T3=0, (a2) 2T3+a(1-a)3T3+(1-a)4T3=0, a1E3+(1-a)2E3-3E3=0, 3E3-4E3=0, (a2)( 2d312T1+2d322T2+2d332T3+2e332E3)+ a(1-a)( 3d313T1+3d323T2+3d333T3+3e333E3)+ (1-a)( 4d314T1+4d324T2+4d334T3+4e334E3)= s, d31E3+q31H3=S1, d32E3+q32H3=S2, d33 E3+q33H3=S3, e33E333H3=D3, m33H3+ α 33E3=B3, 1q31(1T1+1T2)+1q331T3+1m331H3=1B3

Средние значения деформации могут быть найдены по следующим формулам:

S1=a(1s111T1+1s121T2+1s131T3+1q311H3)+(4s124T2+4s134T3+ +4d314E3)(1-a), (3.68) S2=4s224T2+4s234T3+4d324E3, (3.69) S3=4s324T2+4s334T3+4d334E3 (3.70)

Система (3.67) с учетом (3.68)–(3.70) легко решается при использовании пакета программ Maple 7. В данной работе в качестве магнитострикционной фазы будем использовать феррит кобальта, а в качестве пьезоэлектрической фазы – пьезокерамику ЦТС. При этом при проведении расчетов использовались материальные параметры, приведенные в таблице 3.4.

Для нахождения эффективных параметров на основе решения системы (3.67) использовался алгоритм, изображенный на рисунке 3.17.

Для учета сил, действующих на ячейки кубической модели со стороны окружающих ячеек необходимо рассмотреть зажатый образец. При этом в уравнениях (3.67) к компонентам тензора напряжений следует добавить составляющие внешних напряжений, а также следует использовать граничные условия вида

S1= - sc1 s11 T1, S2= - sc2 s22 T2, S3= - sc3 s33 T3, (3.71)

где относительная податливость зажима sci = csii /sii, csii-

 

податливость зажима

 

В связи с громоздкостью аналитических выражений дляэффективных параметров композита был проведен численный расчет зависимостей эффективных параметров от объемной доли пьезоэлектрической фазы в МЭ материале. При этом учтено, что объем кубической ячейки, определяемый как сумма объемов магнитострикционной и пьезоэлектрической фаз, равен 1, объем магнитострикционной фазы равен а3, а объем пьезоэлектрической фазы соответственно равен(1-а3). Поэтому объемную долю пьезоэлектрической фазы в магнитоэлектрическом материале можно определить по формуле:

v=VП/( VП + VМ)= (1-а3)/1=1-а3, (3.72)

гдеVП– объем пьезоэлектрической фазы; VМ – объем магнитострикционной фазы. Для нахождения эффективных пьезоэлектрических модулей полагаем, что исследуемый материал находится во внешнем электрическом поле, при этом внешнее магнитное поле отсутствует, т.е. H3=0. При решении системы (3.67) учтено, что средние значения напряженностей электрического и магнитного полей в кубической ячейке определяются выражениями

E3= 4E3 , H3 = 4H3. (3.73)

Результаты вычисления эффективных пьезоэлектрических модулей изображены на рис. 3.18 и 3.19.

Рис. 3.18. Концентрационная зависимость пьезоэлектрического модуляd31.

Рис. 3.19. Концентрационная зависимость пьезоэлектрического модуля d33.

Из рис. 3.18 и 3.19 следует, что в предельных случаях (v=0 и v=1) значения эффективных пьезоэлектрических модулей совпадают с пьезоэлектрическими модулями компонент композита, приведенными в таблице 3.4. Для нахождения эффективных пьезомагнитных модулей полагаем, что исследуемый материал находится во внешнем магнитном поле, при этом внешнее электрическое поле отсутствует, т.е. E3=0 (3.74). Решение системы уравнений (3.76) для этого случая позволяет получить зависимость эффективных пьезомагнитных модулей от объемной доли пьезоэлектрической компоненты (рис. 3.20, 3.21).

Рис. 3.20. Концентрационная зависимость эффективных пьезомагнитных модулей q31 и q32

Рис. 3.21. Концентрационная зависимость эффективного пьезомагнитного модуля q33

Значения эффективных пьезомагнитных модулей в предельных случаях (v=0 и v=1), как следует из рис. 3.20 и 3.21, совпадают с параметрами исходных компонент (табл. 3.4).

Для нахождения эффективной магнитной проницаемости полагаем, что E3=0,а в исследуемом образце создается магнитная индукция

B3 = 1B3 a2+ 3H3 m0 a(1-a) + 4H3m0 (1 – a)Рис. 3.22. График концентрационной зависимости m33 от v.

Рис. 3.23. Концентрационная зависимость эффективной диэлектрической проницаемости

Полученная графическая зависимость позволяет определить концентрации пьезоэлектрической и магнитострикционной фаз, чтобы получить максимальное значение эффективной магнитоэлектрической восприимчивости. Данное обстоятельство становится очень важным при проектировании устройств функциональной электроники на основе магнитоэлектрического взаимодействия.

При проектировании устройств функциональной электроники важным параметром является МЭ коэффициент по напряжению

aE, 33= – α 33/e33 (3.75)

Концентрационная зависимость МЭ коэффициента по напряжению приведена на рис. 3.25. Эта зависимость позволяет определить концентрации пьезоэлектрической и магнитострикционной фаз, чтобы получить максимальное значение эффективного магнитоэлектрического коэффициента. Данное обстоятельство также учитывается при проектировании различных устройств функциональной электроники.

Рис. 3.24. Концентрационная зависимость МЭ восприимчивости для композита со связностью 3-0

Рис. 3.25. График концентрационной зависимости МЭ коэффициента по напряжению для композита со связностью 3-0:1 – расчет по предложенной модели, 2 – расчет по модели [49] для a′E33 = E3/mH3

Для контроля вычислений был произведен расчет магнитоэлектрического коэффициента, равного отношению среднего по объему образца электрического поля к магнитному полю в ферритовой компоненте a′E33 = E3/mH3для свободного образца с материальными параметрами [49] (рис. 3.26).

Значения МЭ коэффициента на рис. 3.26 совпадают с данными [49], что подтверждает правильность проведенных расчетов.

Как следует из рис. 3.25, МЭ коэффициент, равный отношению среднего по объему образца электрического поля к магнитному полю в ферритовой компоненте и найденный согласно модели [49], приблизительно на 20 % больше МЭ коэффициента, равного отношению среднего по объему образца электрического поля к среднему значению магнитного поля и вычисляемого по предлагаемой модели. Это объясняется тем, что внутреннее магнитное поле в ферритовой компоненте значительно отличается от внешнего магнитного поля.

Рис. 3.26. График концентрационной зависимости a′33 = E3/mH3для композита с материальными параметрами [49].

предыдущий раздел | содержание| следующий раздел

 

Расчет согласно уравнениям (3.67) с учетом найденных ранее значений эффективных пьезомагнитных модулейприводит к зависимости эффективной магнитной проницаемости от объемной доли пьезоэлектрической фазы, изображенной на рис. 3.22.

Для нахождения эффективной диэлектрической проницаемостиполагаем, что внешнее магнитное поле отсутствует, т.е. H3=0, а в образце создается электрическая индукция D3=s. Учитывая найденные ранее значения эффективных пьезоэлектрических модулей, получаем зависимость эффективной диэлектрической проницаемости от объемной доли пьезоэлектрической фазы, изображенную на рис. 3.23.

Анализ рисунка 3.23 показывает, что в предельных случаях (v=0 и v=1) значения эффективной диэлектрической проницаемости совпадают с диэлектрическими проницаемостями компонент композита, приведенными в таблицах 3.3 и 3.4.

Для нахождения эффективной МЭ восприимчивостиполагаем, что среднее значение магнитной индукции в образце равно нулю, а среднее значение электрической индукции D3=s.Решение системы уравнений (3.29) для этого случая с учетом найденных ранее значений эффективных пьезоэлектрических и пьезомагнитных модулей, а также эффективной диэлектрической проницаемости позволяет получить зависимость эффективной МЭ восприимчивости от объемной доли пьезоэлектрической фазы, которая изображена на рис. 3.24.

 

(3.55)

предыдущий раздел | содержание| следующий раздел

Поиск в журналах РАЕ:

Хроника

14-17 марта 2024

С 14 по 17 марта 2024 г. Академия Естествознания приняла участие в XXXI МИНСКОЙ МЕЖДУНАРОДНОЙ КНИЖНОЙ ВЫСТАВКЕ «ММКВЯ-2024», которая прошла в Административном выставочном комплексе БелЭкспо.

30 января 2024

30 января Академией естествознания в рамках дистанционных педагогических проектов была проведена научно-практическая конференция "ПРИОРИТЕТНЫЕ НАПРАВЛЕНИЯ РАЗВИТИЯ СОВРЕМЕННОГО ОБРАЗОВАНИЯ" для педагогов средних, средних специальных и высших учебных заведений.

18-22 октября 2023 года Франкфуртская книжная выставка

Российская Академия Естествознания приняла участие в прошедшей 18-22 октября 2023 года 75-ой Франкфуртской книжной выставке Frankfurter Buchmesse 2023

24 ноября 2023

24 ноября 2023 г. в Москве состоялась Осенняя Сессия РАЕ 2023

15 ноября 2023

15 ноября Академией естествознания в рамках дистанционных педагогических проектов была проведена научно-практическая конференция "СОВРЕМЕННОЕ ОБРАЗОВАНИЕ. ПРОБЛЕМЫ И РЕШЕНИЯ" для педагогов средних, средних специальных и высших учебных заведений.

Яндекс цитирования

Google+

© 2005–2020 Российская Академия Естествознания

Телефоны:
+7 499 709-8104, +7 8412 30-41-08, +7 499 704-1341, +7 8452 477-677, +7 968 703-84-33
+7 499 705-72-30 - редакция журналов Издательства
Тел/Факс: +7 8452 477-677

E-mail: stukova@rae.ru

Адрес для корреспонденции: 101000, г. Москва, а/я 47, Академия Естествознания.

Служба технической поддержки - support@rae.ru