РУС | ENG

3.1.1. Модель и основные уравнения

Для получения эффективных материальных параметров композитов используется метод усреднения, состоящий из двух этапов [53-56]. На первой стадии композит рассматривается как структура, состоящая из пьезоэлектрической и магнитострикционной фаз.

Магнитоэлектрические композиты характеризуются наличием в этих материалах взаимодействующих между собой магнитной и электрической подсистем. Уравнение пьезоэлектрического эффекта может быть записано в следующем виде:

(3.1)

где P - электрическая поляризация (матрица 3x1), d - пьезоэлектрический модуль (матрица 3x6) и T – механическое напряжение (матрица 6x1).

Для электрического смещения D справедливо выражение:

D=d•T+εT•E, (3.2)

где E - электрическое поле (матрица 3x1), εT - диэлектрическая проницаемость свободного образца (при Т=0).

При условии разомкнутой цепи, т.е. D=0, из (3.2) следует, что
E= (-d/εT)T. (3.3)

Магнитострикция - деформация материала в магнитном поле - может быть выражена следующим образом, в пренебрежении гистерезисом

S= bM2, (3.4)

где S - деформация (матрица 6x1), b – магнитоупругая константа (матрица 6x6), и M – намагниченность. При наличии подмагничивающего поля магнитострикция может рассматриваться как псевдо-пьезомагнетизм при малой амплитуде переменного магнитного поля, где величина магнитострикционной кривой может быть принятапостоянной. Таким образом, псевдо-пьезомагнитный эффект может быть выражен следующим образом:

(3.5)

где q – пьезомагнитный коэффициент (матрица 6x3).

Таким образом, общее выражение для деформации материала может быть записано как:

(3.6)

Из (3.6) для деформации и электрического смещения пьезоэлектрической фазы следуют уравнения:

 

pSi = psijpTj + pdkipEk, (3.7)

pDk = pdki pTi + pεkn pEn, (3.8)

где pSi–компоненты тензора деформаций пьезоэлектрической фазы;
pEk–компоненты вектора напряженности электрического поля;
pDk–компоненты вектора электрического смещения;
pTj–компоненты тензора напряжений пьезоэлектрической фазы;
psij–коэффициенты податливости;
pdki–пьезоэлектрические модули;
pεkn–тензор диэлектрической проницаемости.

В уравнениях (3.7) и (3.8) не учтена сила тяжести, поскольку она мала по сравнению с внутренними силами, обусловленными взаимодействием фаз.

Магнитострикционная фаза может быть описана уравнениями:

mSi = msijmTj + mqkimHk, (3.9)
mBk = mqkimTi + mμknmHn, (3.10)

где mSi–компоненты тензора деформаций магнитострикционной фазы;
mTj–компоненты тензора напряжений магнитострикционной фазы;
msij–коэффициенты податливости;
mHk–компоненты вектора напряженности магнитного поля;
mBk–компоненты вектора магнитной индукции;
mqki–пьезомагнитные модули;
mμkn–тензор магнитной проницаемости.

Уравнения (3.9)-(3.10) можно рассматривать как результат линеаризации магнитострикции. Прежние модели предполагали связь на границах раздела идеальной. В данной работе вводится параметр связи k=(pSi- pSi0)/(mSi - pSi0) (i =1,2), где pSi0 - Этот параметр зависит от качества механического контакта на границе раздела и определяет соотношение между деформациями пьезоэлектрического и магнитострикционного слоев. Коэффициент связи k=1 для идеальной связи и k=0 в случае отсутствия трения.компоненты тензора деформаций, соответствующие отсутствию трения между слоями [56].

На второй стадии двухслойная структура рассматривается как однородный материал, для которого справедливы соотношения:
Si = sijTj + dkiEk+ qkiHk, (3.11)
Dk = dkiTi + εknEn+ αknHn, (3.12)
Bk = qkiTi + αknEn + μknHn, (3.13)

где Si–компоненты тензоров деформаций;
Tj–компоненты тензоров напряжений;
Ek– компоненты векторов напряженности электрического поля;
Dk–компоненты векторов электрического смещения;
Hk–компоненты векторов напряженности магнитного поля;
Bk–компоненты векторов магнитной индукции;
sij–эффективные коэффициенты податливости;
dki–эффективные пьезоэлектрические модули;
qki–эффективные пьезомагнитные модули, м/А;
εkn–эффективные диэлектрические проницаемости;
μkn–эффективные магнитные проницаемости;
αkn–магнитоэлектрическая восприимчивость.

Совместное решение уравнений (3.7)–(3.13) позволяет найти эффективные параметры композита.

предыдущий раздел | содержание| следующий раздел

Поиск в журналах РАЕ:

Хроника

14-17 марта 2024

С 14 по 17 марта 2024 г. Академия Естествознания приняла участие в XXXI МИНСКОЙ МЕЖДУНАРОДНОЙ КНИЖНОЙ ВЫСТАВКЕ «ММКВЯ-2024», которая прошла в Административном выставочном комплексе БелЭкспо.

30 января 2024

30 января Академией естествознания в рамках дистанционных педагогических проектов была проведена научно-практическая конференция "ПРИОРИТЕТНЫЕ НАПРАВЛЕНИЯ РАЗВИТИЯ СОВРЕМЕННОГО ОБРАЗОВАНИЯ" для педагогов средних, средних специальных и высших учебных заведений.

18-22 октября 2023 года Франкфуртская книжная выставка

Российская Академия Естествознания приняла участие в прошедшей 18-22 октября 2023 года 75-ой Франкфуртской книжной выставке Frankfurter Buchmesse 2023

24 ноября 2023

24 ноября 2023 г. в Москве состоялась Осенняя Сессия РАЕ 2023

15 ноября 2023

15 ноября Академией естествознания в рамках дистанционных педагогических проектов была проведена научно-практическая конференция "СОВРЕМЕННОЕ ОБРАЗОВАНИЕ. ПРОБЛЕМЫ И РЕШЕНИЯ" для педагогов средних, средних специальных и высших учебных заведений.

Яндекс цитирования

Google+

© 2005–2020 Российская Академия Естествознания

Телефоны:
+7 499 709-8104, +7 8412 30-41-08, +7 499 704-1341, +7 8452 477-677, +7 968 703-84-33
+7 499 705-72-30 - редакция журналов Издательства
Тел/Факс: +7 8452 477-677

E-mail: stukova@rae.ru

Адрес для корреспонденции: 101000, г. Москва, а/я 47, Академия Естествознания.

Служба технической поддержки - support@rae.ru