РУС | ENG
5.6. Магнитоэлектрический эффект в области магнитоакустического резонанса
В слоистых структурах на основе монокристаллов ферритов и пьезоэлектриков хорошего качества степень магнитного упорядочения может быть достаточно высока, и в такого типа материалах возможно наблюдение эффектов, связанных с магнитоупругим взаимодействием. К динамическим эффектам, рассматриваемым в данной работе, относится МЭ эффект, заключающийся в индуцировании электрического поля во внешнем магнитном поле. В области наложения частот электромеханического и магнитного резонансов можно ожидать значительное усиление этого эффекта.
Для теоретического анализа распространения магнитоупругих волн можно воспользоваться как квантовым, так и феноменологическим подходом. Квантовый подход является более общим, однако использование феноменологического подхода позволяет получить практически все основные результаты с большей ясностью и простотой [76, 97, 99, 102].
Рис. 5.9. Двухслойная структура на основе монокристаллических фаз
Рассмотрим композит (рис. 5.9), ферритовая компонента которого находится в насыщенном (однодоменном) состоянии [101]. Это состояние имеет два важных преимущества. Во-первых, когда имеются домены, акустические потери на высоких частотах слишком велики. Во-вторых, большая восприимчивость при низких частотах в результате процесса релаксации уменьшается при повышении частоты, и в насыщенных образцах ферромагнитный резонанс становится единственным путем получения больших эффективных восприимчивостей [103]. Плотность свободной энергии монокристаллической ферритовой фазы представим в виде
mW = WH+ Wan+Wma+ Wac, (5.32)
где WH = - M·H – энергия Зеемана,
Wan = K1/M4(M12 M22+ M22 M32+ M32 M12) –
энергия кубической кристаллографической анизотропии, K1 – константа кубической анизотропии,
Wma= B1/M2 (M12 mS1 + M22 mS2+ M32 mS3) + B2/M2(M1M2 mS6 + M2M3 mS4 + M1M3 mS5) – магнитоупругая энергия, B1 и B2 – магнитоупругие постоянные, Wac= ½ mc11(mS12 +mS22 +mS32 ) +½ mc44 (mS42 +mS52 +mS62) +
+ mc12 (mS1mS2 + mS2mS3 + mS1mS3 – упругая энергия.
В (5.32) предполагается, что материал однородно намагничен.На основании обобщенного закона Гука для пьезоэлектрической фазы можно записать соотношения
pT4 = pc44 pS4 − ep15 pE2, pT5 = pc44 pS5 − ep15 pE1, (5.33)
где ep15 – пьезоэлектрический коэффициент.
Уравнения движения ферритовой и пьезоэлектрической фаз композита могут быть записаны в следующем виде:
∂2(mu1)/∂t2 = ∂ 2(mW)/(∂x∂mS1) + ∂ 2(mW)/(∂y∂mS6) + ∂ 2(mW)/(∂z∂mS5), ∂2(pu1)/∂t2 = ∂(mT1)/∂x + ∂(mT1)/∂y + ∂(mT1)/∂z, (5.34) ∂2(pu2)/∂t2 = ∂(mT2)/∂x + ∂(mT2)/∂y + ∂(mT2)/∂z.
Уравнение движения вектора намагниченности имеет вид
∂M/∂t = - γ [M, Heff], (5.35)
где Heff= - ∂(mW)/∂M,
С целью упрощения расчетов будем использовать циклические переменные при рассмотрении волн круговой поляризации.
m+ = m1 +i m2,
H+ = H1 +iH2,
E+ = E1 +iE2,
u+ = u1 +iu2, (5.36)
где m – переменная намагниченность, u - смещение.
С учетом (5.35) уравнения (5.33) и (5.34) примут форму
ω m+ = γ (H0 m+ − 4 π M0 m+ − M0 H+),
− ω2 mρ mu+ = mc44 ∂2(mu+)/∂z2, − ω2 pρ pu+ = pc44 ∂2(pu+)/∂z2 .(5.37)
Граничные условия на границе раздела фаз, а также верхнем и нижнем основаниях композита могут быть представлены в виде:
mu+ = pu+приz = 0; mc44 ∂(mu+)/∂z +B2 m+/M0= 0приz = mL; mc44 ∂(mu+)/∂z +B2 m+/M0 =pc44 ∂(pu+)/∂z – pe15pE+приz = 0; pc44 ∂(pu+)/∂z – pe15pE+ =0приz = - pL, (5.38)
где mL and pL толщины ферритового и пьезоэлектрического слоев.
Индуцированное в пьезоэлектрической компоненте электрическое поле E+ можно определить из условия разомкнутой электрической цепи:
(5.39)
где pD+ = pe15 pS+ + pe11 pE+ - электрическая индукция в пьезоэлектрическом слое.
Подстановка решения (5.37) в (5.39) с учетом (5.38) позволяет получить выражение для МЭ коэффициента по напряжению
|E+/H+|=γB2pc44kppe15[1-cos(kppL)]2/{(ω–γH0+4π γM0)[-½pc44pε33 kppL sin(2kppL) (pc44kp+mc44km)+(cos(kppL)–1)pe152[(cos(kppL)(mc44km+2pc44kp)+mc44km]]}, (5.40)
где .
Как следует из соотношения (5.38),между смещением и однородной прецессией намагниченности ферритовой фазы существует связь через граничные условия на поверхностях пластинки. Соотношение (5.40) показывает, что при приближении частоты переменного магнитного поляк к частоте однородной прецессии намагниченности ω0=γH0-4πγM0 величина МЭ коэффициента по напряжению резко возрастает. Это возрастание связано с резонансной зависимостью смещения в области магнитного резонанса, а смещение благодаря пьезоэлектрическому эффекту индуцирует электрическое поле в пьезоэлектрической компоненте.
На рис. 5.10 и 5.11 приведены частотные зависимости МЭ коэффициента по напряжению для двухслойной структуры монокристаллический ЖИГ – PMN-PT, рассчитанные по формуле (5.40). Затухание в расчетах учтено введением комплексной частоты при этом принято ωr=107рад/с.
Рис. 5.10. Частотная зависимость МЭ коэффициента по напряжению для L1=L2=0.05 мм, H0=1.9 кЭ
На частотах, значительно меньших частоты однородной прецессии намагниченности, МЭ коэффициент по напряжению имеет максимум в области электромеханического резонанса, при этом резонансная частота определяется толщинами слоев композита. Существенное увеличение МЭ коэффициента по напряжению происходит в области совпадения частот электромеханического резонанса и однородной прецессии намагниченности ферритовой фазы (рис. 5.12). При указанном выше значении параметра потерь величина МЭ коэффициента достигает гигантской величины 80 В/А.
Таким образом, расчетное значение МЭ коэффициента по напряжению позволяет рекомендовать слоистые композиционные материалы на основе монокристаллических ферритов и пьезоэлектриков для использования в радиокомпонентах, работа которых основана на генерации магнитоупругих волн или на управлении параметров магнитного резонанса с помощью электрического поля.
Рис. 5.11. Частотная зависимость МЭ коэффициента по напряжению для L1=L2=0.01 мм, H0=2.1 кЭ
26 марта Академией естествознания в рамках дистанционных мероприятий Весенней Сессии РАЕ была проведена научно-практическая онлайн-конференция «Современные научные исследования и их практическое применение»
5 марта 2025 Академией естествознания в рамках официального участия РАЕ в Московском салоне образования-2025 была проведена панельная дискуссия «НОВЫЕ МОДЕЛИ И ФОРМАТЫ ОБУЧЕНИЯ. ОТ ТЕОРИИ К ПРАКТИКЕ» по актуальным вопросам образования».
С 5 по 6 марта 2025 Академия Естествознания приняла участие в XII Московском международном Салоне образования ММСО.EXPO-2025.
С 12 по 16 марта 2025 Академия Естествознания приняла участие в XXXII МИНСКОЙ МЕЖДУНАРОДНОЙ КНИЖНОЙ ВЫСТАВКЕ «ММКВЯ-2025», которая прошла в Административном выставочном комплексе БелЭкспо.
1-9 февраля 2025 года 52-я Всемирная книжная выставка The New Delhi World Book Fair 2025
С 1 по 9 февраля 2025 года в столичном выставочном комплексе IECC Bharat Mandapam прошла 52-я Всемирная книжная выставка The New Delhi World Book Fair 2025. Академия Естествознания впервые приняла участие в выставке.
© 2005–2020 Российская Академия Естествознания
Телефоны:
+7 499 709-8104, +7 499 704-1341, +7 495 127-0729, +7 968 703-84-33
+7 499 705-72-30- редакция журналов Издательства
E-mail: stukova@rae.ru
Адрес для корреспонденции: 101000, г. Москва, а/я 47, Академия Естествознания.
Служба технической поддержки - support@rae.ru