РУС | ENG
3.1.1. Модель и основные уравнения
Для получения эффективных материальных параметров композитов используется метод усреднения, состоящий из двух этапов [53-56]. На первой стадии композит рассматривается как структура, состоящая из пьезоэлектрической и магнитострикционной фаз.
Магнитоэлектрические композиты характеризуются наличием в этих материалах взаимодействующих между собой магнитной и электрической подсистем. Уравнение пьезоэлектрического эффекта может быть записано в следующем виде:
(3.1)
где P - электрическая поляризация (матрица 3x1), d - пьезоэлектрический модуль (матрица 3x6) и T – механическое напряжение (матрица 6x1).
Для электрического смещения D справедливо выражение:
D=d•T+εT•E, (3.2)
где E - электрическое поле (матрица 3x1), εT - диэлектрическая проницаемость свободного образца (при Т=0).
При условии разомкнутой цепи, т.е. D=0, из (3.2) следует, что
E= (-d/εT)T. (3.3)
Магнитострикция - деформация материала в магнитном поле - может быть выражена следующим образом, в пренебрежении гистерезисом
S= bM2, (3.4)где S - деформация (матрица 6x1), b – магнитоупругая константа (матрица 6x6), и M – намагниченность. При наличии подмагничивающего поля магнитострикция может рассматриваться как псевдо-пьезомагнетизм при малой амплитуде переменного магнитного поля, где величина магнитострикционной кривой может быть принятапостоянной. Таким образом, псевдо-пьезомагнитный эффект может быть выражен следующим образом:
(3.5)
где q – пьезомагнитный коэффициент (матрица 6x3).
Таким образом, общее выражение для деформации материала может быть записано как:
(3.6)
Из (3.6) для деформации и электрического смещения пьезоэлектрической фазы следуют уравнения:
pSi = psijpTj + pdkipEk, (3.7)
pDk = pdki pTi + pεkn pEn, (3.8)
где pSi–компоненты тензора деформаций пьезоэлектрической фазы;
pEk–компоненты вектора напряженности электрического поля;
pDk–компоненты вектора электрического смещения;
pTj–компоненты тензора напряжений пьезоэлектрической фазы;
psij–коэффициенты податливости;
pdki–пьезоэлектрические модули;
pεkn–тензор диэлектрической проницаемости.
В уравнениях (3.7) и (3.8) не учтена сила тяжести, поскольку она мала по сравнению с внутренними силами, обусловленными взаимодействием фаз.
Магнитострикционная фаза может быть описана уравнениями:
mSi = msijmTj + mqkimHk, (3.9)где mSi–компоненты тензора деформаций магнитострикционной фазы;
mTj–компоненты тензора напряжений магнитострикционной фазы;
msij–коэффициенты податливости;
mHk–компоненты вектора напряженности магнитного поля;
mBk–компоненты вектора магнитной индукции;
mqki–пьезомагнитные модули;
mμkn–тензор магнитной проницаемости.
Уравнения (3.9)-(3.10) можно рассматривать как результат линеаризации магнитострикции. Прежние модели предполагали связь на границах раздела идеальной. В данной работе вводится параметр связи k=(pSi- pSi0)/(mSi - pSi0) (i =1,2), где pSi0 - Этот параметр зависит от качества механического контакта на границе раздела и определяет соотношение между деформациями пьезоэлектрического и магнитострикционного слоев. Коэффициент связи k=1 для идеальной связи и k=0 в случае отсутствия трения.компоненты тензора деформаций, соответствующие отсутствию трения между слоями [56].
На второй стадии двухслойная структура рассматривается как однородный материал, для которого справедливы соотношения:
Si = sijTj + dkiEk+ qkiHk, (3.11)
Dk = dkiTi + εknEn+ αknHn, (3.12)
Bk = qkiTi + αknEn + μknHn, (3.13)
где Si–компоненты тензоров деформаций;
Tj–компоненты тензоров напряжений;
Ek– компоненты векторов напряженности электрического поля;
Dk–компоненты векторов электрического смещения;
Hk–компоненты векторов напряженности магнитного поля;
Bk–компоненты векторов магнитной индукции;
sij–эффективные коэффициенты податливости;
dki–эффективные пьезоэлектрические модули;
qki–эффективные пьезомагнитные модули, м/А;
εkn–эффективные диэлектрические проницаемости;
μkn–эффективные магнитные проницаемости;
αkn–магнитоэлектрическая восприимчивость.
Совместное решение уравнений (3.7)–(3.13) позволяет найти эффективные параметры композита.
26 марта Академией естествознания в рамках дистанционных мероприятий Весенней Сессии РАЕ была проведена научно-практическая онлайн-конференция «Современные научные исследования и их практическое применение»
5 марта 2025 Академией естествознания в рамках официального участия РАЕ в Московском салоне образования-2025 была проведена панельная дискуссия «НОВЫЕ МОДЕЛИ И ФОРМАТЫ ОБУЧЕНИЯ. ОТ ТЕОРИИ К ПРАКТИКЕ» по актуальным вопросам образования».
С 5 по 6 марта 2025 Академия Естествознания приняла участие в XII Московском международном Салоне образования ММСО.EXPO-2025.
С 12 по 16 марта 2025 Академия Естествознания приняла участие в XXXII МИНСКОЙ МЕЖДУНАРОДНОЙ КНИЖНОЙ ВЫСТАВКЕ «ММКВЯ-2025», которая прошла в Административном выставочном комплексе БелЭкспо.
1-9 февраля 2025 года 52-я Всемирная книжная выставка The New Delhi World Book Fair 2025
С 1 по 9 февраля 2025 года в столичном выставочном комплексе IECC Bharat Mandapam прошла 52-я Всемирная книжная выставка The New Delhi World Book Fair 2025. Академия Естествознания впервые приняла участие в выставке.
© 2005–2020 Российская Академия Естествознания
Телефоны:
+7 499 709-8104, +7 499 704-1341, +7 495 127-0729, +7 968 703-84-33
+7 499 705-72-30- редакция журналов Издательства
E-mail: stukova@rae.ru
Адрес для корреспонденции: 101000, г. Москва, а/я 47, Академия Естествознания.
Служба технической поддержки - support@rae.ru