РУС | ENG
1. Магнитоэлектрические свойства материалов (обзор)
1.1. Магнитоэлектрическое взаимодействие в кристаллах
Магнитоэлектрический (МЭ) эффект относится к перекрестным эффектам и сам по себе уже представляет интерес для исследований, поскольку наблюдается только в определенных материалах. МЭ эффект заключается в индуцировании электрической поляризации в материале во внешнем магнитном поле или в появлении намагниченности во внешнем электрическом поле:
Pi= αijHj, (1.1)
Mi = αji/μ0Ej, (1.2)
где Pi–электрическая поляризация, Mi – намагниченность, Ejи Hj – электрическое и магнитное поля, αij – МЭ восприимчивость,μ0 – магнитная постоянная.
МЭ эффект в твёрдом теле был предсказан Л.Д.Ландау и Е.М.Лифшицем в 1957 г. [1]. Для материала, помещенного в однородные магнитное и электрическое поля, изменение объемной плотности свободной энергии может быть выражено следующим образом:
dF = - Pi dEi - μ0 Mi dHi , (1.3)
где Pi–электрическая поляризация, Mi – намагниченность, Ejи Hj – электрическое и магнитное поля. Из (1.3) можно получить выражения для поляризации и намагниченности материала:
Pi = -( ∂F/∂Ei)H,T, (1.4)
μ0Mi = -( ∂F/∂Hi)E,T, (1.5)
где Т – температура.
В предположении, что электрическая χE и магнитная χM восприимчивости не зависят от Е и Н , получаем с учетом МЭ эффекта
F = -1/2 χEijEiEj – αijEiHj- 1/2 χMijHiHj . (1.6)
Из (1.6) следуют материальные соотношения
Pi= χEijEj + αijHj, (1.8)
Mi = χMijHj+ αji/μ0Ej, (1.9)
Таким образом, тензор МЭ восприимчивости в общем случае является тензором 2 ранга. И.Е. Дзялошинский теоретически показал, что среди веществ с известной магнитной структурой имеется, по крайней мере, один кристалл, а именно оксид хрома, в котором должен иметь место магнитоэлектрический эффект [2]. В 1960 г. Д.Н.Астров экспериментально обнаружил МЭ эффект в оксиде хрома [3] и измерил продольную и поперечную МЭ восприимчивости. В измерительной установке Астрова регистрировался переменный магнитный момент, возникающий в образце под действием приложенного электрического поля. Измерения проводились на частоте 10кГц.
Затем Folen et al. [4] измерили МЭ эффект, индуцированный магнитным полем. Эти измерения были проведены также на оксиде хрома довольно простым способом: монокристаллический образец помещался между полюсами электромагнита, а электроды, нанесённые методом осаждения на обе стороны образца, подсоединялись к вакуумному электрометру. При включении электромагнита электрометром измеряли напряжение, возникающее в образце. Этот же статический метод применяли Ascher et al. [5] при исследовании Ni3B7O13I.
Была рассмотрена связь МЭ эффекта с симметрией кристаллической структуры [4], в частности, установлено, что произведение αijEiHj отлично от нуля только в магнитоупорядоченных материалах. Предложены теоретические модели наблюдаемого МЭ эффекта в некоторых материалах [5-7]. Проведена классификация МЭ материалов по магнитным точечным группам [8] и рассмотрена МЭ симметрия материалов [9]. Было проведено объяснение МЭ эффекта на основе статистической теории [10, 11]. Изучалось распространение волн в МЭ средах [12, 13].В 1982 г. был предложен новый подход к изучению МЭ эффекта в ферримагнетиках [14], согласно которому плотность магнитной энергии может быть разложена в ряд по степеням намагниченности, а симметрия тензорных коэффициентов этого ряда определятся, главным образом, симметрией парафазы кристалла. Вклад в развитие теории МЭ эффекта внесли также Шавров В.Г. [15], Alexander S., Shtrikman S. [16],Asher E. [17].
Brown Jr. et al. [18] определили верхний теоретический предел для МЭ восприимчивости. Авторы показали, что
F +(1/2)χdjjHi2 ≤ 0, (1.10)
где χdjj– диамагнитная восприимчивость. Из (1.10) с учетом (1.6) следует неравенство
(1/2)χEiiEi2 + αijEiHj + (1/2)χpjjHj2 ≥0, (1.11)
где χpjj = χmjj - χdjj– парамагнитная восприимчивость. Поскольку (1.11) представляет собой положительно определенное неравенство, то χEii≥ 0, χpjj≥ 0, и
αij< (χEii χpjj)1/2. (1.12)
Полагая диамагнитную составляющую малой по сравнению с парамагнитной (для материалов с локализованными магнитными моментами), можно считать χpjj≈ χmjj, поэтому
αij< (χEii χmjj)1/2. (1.13)
Аналогичное соотношение может быть получено на основе термодинамического рассмотрения [18]
αij< (εii μjj)1/2, (1.14)
где ε и μ – диэлектрическая и магнитная проницаемости. Для известных материалов верхний предел значительно превышает экспериментально наблюдаемые значения. Asher и Janner вычислили верхние пределы МЭ восприимчивости для некоторых точечных групп [19].
Rado [20-21] обнаружил линейный МЭ эффект в ферримагнитном материале
Ga2-xFexO3. Этот эффект был объяснен наличием пьезоэлектрических и пьезомагнитных свойств материала. Примером материала, обладающего квадратичным МЭ эффектом, является борат железа FeBO3 [22].
К настоящему времени изучено большое количество монокристаллических МЭ материалов. Наиболее подробно свойства МЭ материалов рассмотрены в [23-28].Общим для этих материалов является то, что МЭ эффект наблюдается в большинстве из них при температурах, значительно ниже комнатной. Это связано с низкими температурами Нееля или Кюри для этих материалов. МЭ коэффициенты обращаются в нуль, как только температура приближается к точке перехода в неупорядоченное состояние. Кроме того, монокристаллические материалы характеризуются малыми значениями МЭ коэффициентов, величина которых недостаточна для практического использования этих материалов. В значительной степени от указанных недостатков свободны композиционные материалы на основе ферритов и пьезоэлектриков[ 29].
26 марта Академией естествознания в рамках дистанционных мероприятий Весенней Сессии РАЕ была проведена научно-практическая онлайн-конференция «Современные научные исследования и их практическое применение»
5 марта 2025 Академией естествознания в рамках официального участия РАЕ в Московском салоне образования-2025 была проведена панельная дискуссия «НОВЫЕ МОДЕЛИ И ФОРМАТЫ ОБУЧЕНИЯ. ОТ ТЕОРИИ К ПРАКТИКЕ» по актуальным вопросам образования».
С 5 по 6 марта 2025 Академия Естествознания приняла участие в XII Московском международном Салоне образования ММСО.EXPO-2025.
С 12 по 16 марта 2025 Академия Естествознания приняла участие в XXXII МИНСКОЙ МЕЖДУНАРОДНОЙ КНИЖНОЙ ВЫСТАВКЕ «ММКВЯ-2025», которая прошла в Административном выставочном комплексе БелЭкспо.
1-9 февраля 2025 года 52-я Всемирная книжная выставка The New Delhi World Book Fair 2025
С 1 по 9 февраля 2025 года в столичном выставочном комплексе IECC Bharat Mandapam прошла 52-я Всемирная книжная выставка The New Delhi World Book Fair 2025. Академия Естествознания впервые приняла участие в выставке.
© 2005–2020 Российская Академия Естествознания
Телефоны:
+7 499 709-8104, +7 499 704-1341, +7 495 127-0729, +7 968 703-84-33
+7 499 705-72-30- редакция журналов Издательства
E-mail: stukova@rae.ru
Адрес для корреспонденции: 101000, г. Москва, а/я 47, Академия Естествознания.
Служба технической поддержки - support@rae.ru