Научный журнал
ISSN 1681-7494

Физико-математические науки
ИССЛЕДОВАНИЕ ФИЗИЧЕСКИХ ПРОЦЕССОВ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ НА ОСНОВЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СТРУКТУР
Арефьева П.А., Бондина В.П.

Перед современной микроэлектроникой стоят проблемы повышения степени интеграции, уменьшения потребляемой мощности и размеров элементов разрабатываемых интегральных схем (ИС), поэтому важно знать физические ограничения, накладываемые на процессы их изготовления. В связи с этим проблема исследования технологических процессов и предельных параметров при изготовлении ИС является важной и актуальной.

Для выявления физических ограничений и выработки требований к материалам, на основе которых изготавливаются ИС, были изучены физические основы таких процессов изготовления ИС, как оксидирование, литография, диффузия примесей и эпитаксия; проведены экспериментальные исследования образцов эпитаксиальных структур, на основе которых изготавливают ИС и оценочные расчёты предельных параметров процессов изготовления ИС.

Исследование процесса окисления кремниевых пластинок показало, что для выращивания пленок в атмосфере сухого кислорода, имеющих более совершенную структуру, требуются значительной затраты времени. Быстрее происходит выращивание пленки во влажном кислороде, но эти пленки получаются пористыми, с проколами. Поэтому наиболее выгодно использовать комбинированный метод окисления, который сочетает в себе преимущества этих двух методов, пленки получаются прочные, нужной толщины (от 0,2 до 1,2 мкм) за оптимальный промежуток времени.

В связи с этим одним из основных параметров SiO2 является величина напряжения, при котором наступает пробой. Зондовым методом определили значение пробивного поля окисной пленки, получили примерно 0,4 МВ*см-1, что соответствует пробою в дефектном месте.

При фотолитографии по ряду причин существует ограничение на минимальный размер изображении, которое можно получить этим методом. Проведенная оценка теоретического предела минимального размера изображения, получаемого при различных видах литографии показывает, что рентгенолитография отличается большей разрешающей способностью, чем фотолитография. Получили, что λ=300 нм теоретически можем получить линию толщиной 0,2 мкм. Сегодня осуществляется переход к EUV-литографии (λ=13 нм), что делает возможной печать линий гораздо меньшей ширины - до 30 нм.


Библиографическая ссылка

Арефьева П.А., Бондина В.П. ИССЛЕДОВАНИЕ ФИЗИЧЕСКИХ ПРОЦЕССОВ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ НА ОСНОВЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СТРУКТУР // Успехи современного естествознания. – 2010. – № 8 – С. 29-29
URL: www.rae.ru/use/?section=content&op=show_article&article_id=7784697 (дата обращения: 27.11.2014).


Код для вставки на сайт или в блог