РУС | ENG

2.1.1 Легкоплоскостной антиферромагнетик

Влияние внешнего электрического поля на спектр антиферромагнитного резонанса (АФМР) может быть описано с помощью дополнительногочлена в плотности свободной энергии двухподрешеточного АФМ с симметрией, допускающей наличие слабого ферромагнетизма.

WМЭ = AiknEiLkLn +BiknEiLkMn +CijknEiEjLkLn +DijknEiEjLkMn, (2.1)

где - намагниченности подрешеток, линейные и нелинейные МЭ-константы, описывающие изменение энергии магнитной анизотропии во внешнем электрическом поле. С целью получения выражения для сдвига линий АФМР в электрическом поле необходимо решить уравнение движения намагниченности подрешеток [89] с учетом (2.1)

(2.2)

где - равновесная и переменная намагниченности к-й подрешетки,

- равновесное и переменное эффективные поля, действующие на к-ю подрешетку.

k =1.2.

В качестве примера рассмотрим легкоплоскостной СФМ с симметрией 32, обладающий линейным и нелинейным резонансным МЭ-эффектом. Известно, что в рамках кристаллографической точечной группы 32 могут быть реализованы 2 структуры, - 3z+2x-и 3z+2x+, поэтому для анализа экспериментальных данных необходимо рассмотреть оба варианта.

Структура 3z+2x-

В этом случае выражение (2.1) можно записать в виде

WМЭ = A11[E1(L12 - L22) - 2E2L1L2] + 2A14(E1L2L3 - E2L1L3) + + B131(E1L3M1 + E2L3M2) + B223(E2L2M3 + E1L1M3) + + B222[E2(L2 - M2 - L1M1) - E1(L1M2 + L2M1)] + + B311E3(L1M1 - L2M2) + B333E3M3L3 + C11(E12L12 + E22L22) + + C12(E12L22 + E22L12) + C13(E12 + E22) + C31E32(L12 + L22) + + C33E32L22 + 2C14(E12L2 - E22L2 + 2E1E2L1)L3 + (2.3) + 2C41[E2(L12 - L22) + 2E1L1L2]E3 + 4C44(E2L2 + E1L1)E3L3 + + 2(C11 - C12)E1E2L1L2 + D131[(E12 - E22)L3M1 - 2E1E2L3M2] + + D113[(E12 - E22)L1M3 - 2E1E2L3M2] + D112(E12L1M2 - E22L2M1) + + D212(E22L1M2 - E12L2M1) + D312E32(L1M2 - L2M1) + + 2D431(E2E3M1 - E1E3M2)L3 + 2D511[E1(L1M1 - L2M2) - -E2(L1M2 + L2M1)]E3 + 2D523(E1L2 - E2L1)E3M3 + +(D212 - D112)E1E2(L1M1 - L2M2).

Решением уравнения движения намагниченностей подрешеток (2.2) получим с учетом выражений для эффективных полей

H1M = -B131E1L3 + B222(E2L1 + E1L2) - B311E3L1 - - D131(E12 - E22)L3 + D112E22L2 + D212E12L2 + D312E32L2 - - 2D431E2E3L3 - 2D511(E1L1 - E2L2)E3 - (D212 - D112)E1E2L1;

H2M = -B131E2L3 - B222(E2L2 - E1L1) - B311E3L2 + 2D131E1E2L3 - - (D112E12 + D212E22 + D312E32)L1 + 2D431E1E3L3 + + 2D511(E1L2 + E2L1)E3 + (D212 - D112)E1E2L2;

H1L = -2A11(E1L1 - E2L2) + 2A14E2L3 - B223E1M3 + B222(E2M1 + + E1M2) - B311E3M1 - 2C11E12L1 - 2C12E22L1 - 2C31E32L1 - - 4C14E1E2L3 - 4C41(E2L1 + E1E2)E3 - 4C44E1E3L3 - - 2(C11 - C12)E1E2L2 - D113(E12 - E22)M3 - D112E12M2 - D212E22M2 - D312E32M2 - 2D511(E1M1 - E2M2)E3 + +2D523E2E3M3 - (D212 - D112)E1E2M1; (2.4)

H2L = 2A11(E1L2 + E2L1) - 2A14E1L3 - B223E2M3 - B222(E2M2 - - E1M1) - B311E3M2 - 2(C12E12 + C11E22 + C31E32)L2 - 2C14(E12 - - E22)L3 + 4C41(E2L2 - E1L1)E3 - 4C44E2E3L3 - 2(C11 - C12)E1E2L1 + + 2D511(E1M2 + E2M1)E3 + 2D113E1E2M3 + (D212E12 + D112E22 + + D312E32)M1 - 2D523E1E3M3 - (D212 - D112)E1E2M2; H3L = 2A14(E2L1 - E1L2) - B131(E1M1 - E2M2) - B333E3M3 - - 2[C13(E12 + E22) + C33E32]L3 - 2C14[(E12 - E22)L2 + 2E1E2L1] - - 4C44(E1L1 + E2L2)E3 - D131[(E12 - E22)M1 - 2E1E2M2] - - 2D431(E2M1 - E1M2)E3.

Рассмотрим практически важный случай, когда внешнее постоянное магнитное поле лежит в "легкой" плоскости.

Проекции эффективных полей в системе координат (X,Y,Z), в которой ось Y совпадает по направлению с постоянным магнитным полем, связаны с проекциями этих полей в кристаллографической системе координат (1,2,3) соотношениями:

HXM = H1M cos Q - H2M sin Q; HYM = H1M sin Q + H2M cos Q; HZM = H3M;

HXL = H1L cos Q - H2L sin Q; HYL = H1L sin Q + H2L cos Q; HZL = H3L,

где Q - угол между осью Х и осью симметрии второго порядка (рис. 2.1).

Равновесные значения намагниченностей подрешеток определяются из условия минимума свободной энергии как функции угла

H0 cos j - HE sin 2j + HD cos 2j + H31 sin 2j + H32 cos 2j = 0 , (2.5)

где HE - обменное поле;

Рис. 2.1 Системы координат в легкоосном антиферромагнетике

HD - поле Дзялошинского;

H31 = M0{A11E1 + 2C41E2E3 - 2sin2Q[2C41E1E3 - A11E2 + + (C11 - C12)E1E2] + 2cos2Q(C11E12 + C12E22 + C13E32) - - 2sin2Q(C12E12 + C11E22 + C31E32)};

H32 = M0{sin2Q[2B222E2 - 4D511E1E3 - 2(D212 - D112)E1E2] - -2D312E32 + 2cos2Q(B222E1 + 2D511E2E3) - - 2cos2Q(D112E12 + D212E22) - 2sin2Q(D212E12 + D112E22)}.

В (2.5) учтено, что компоненты вектора всистеме координат(1,2,3) связаны с компонентами в системе координат (X,Y,Z) соотношениями L1=Lx cosq + Ly sin q и L2= - Lx sin q + Ly cosq. Аналогичные соотношения имеют место и для суммарного магнитного момента.

Ограничимся рассмотрением малых магнитных полей, т. е. H0 << HE. Учтем также, что для реальных АФМ обычно HD << HE . При этих ограничениях в отсутствии электрического поля, как следует из (2.21),sin j << 1 [89] .Далее, с учетом экспериментальных данных по МЭ-эффекту в АФМ [22, 52] будем считать, что МЭ-взаимодействие лишь немного изменяет равновесные значения намагниченностей подрешеток, т. е. эффективные поля HЭ1 и HЭ2 малы о сравнению с H0 и HD. Учитывая вышеизложенное, из (2.5) можно найти угол j между осью OX и равновесной намагниченностью М10.

sin j = (H0 +HD + H32) / 2HE . (2.6)

Подстановка (2.20) в (2.18) с учетом (2.21) дает:

(2.7)

Переходя к переменным , с учетом (2.6) получим

(2.8)

где H1 = -H0 + HA sinj - HD cosj - HY0M;

H2 = -H24 tgj = - H29 = 2sinj (h14 cosQ - h11 sinQ);

H3 = H13 tgj = - H25 tgj = 2sinj (h14 sinQ + h11 cosQ);

H4 = H19 = -HY0L = -2M0 sinj B333 E3;

H5 = -H17 ctgj = -2 cosj (h10 cosQ - h13 sinQ);

H6 = -H8 ctgj = -2 cosj (h10 sinQ + h13 cosQ);

H7 = H26 = HX0M + 2M0 cosj B333E3;

H8 = -H20 ctgj = -2 cosj (h9 cosQ - h8 sinQ);

H9 = -H21 ctgj = -2 cosj (h9 sinQ + h8 cosQ);

H10 = HD sinj - HA cosj - HX0L + 2M0 cosj [2C13(E12 + E22) + C33E32];

H11 = H0 + HY0M + 2cosj [ h5 cos2Q - h6 sinQ + 0,5(h4 - h12) sin2Q];

H12 = - HX0M + 2cosj [ h5 sin2Q + h12 cos2Q + 0,5(h5 + h6) sin2Q];

H14 = HY0L + 2cosj [ h1 cos2Q + 0,5(h3 - h2) sin2Q] -

- 2sinj [ h4 cos2Q - 0,5(h5 + h6) sin2Q + h7 sin2Q];

 

H15 = -HX0L + 2cosj [ h1 sin2Q - h2 cos2Q + h3 sin2Q] -

- 2sinj [ h5 cos2Q + 0,5(h4 - h7) sin2Q - h6 sin2Q];

 

H16 = 2 cosj (h8 cosQ + h9 sinQ) - 2sinj (h10 cosQ - h13 sinQ);

H22 = HA sinQ + HD(1 - cosj ) - HY0M -

- 4M0 sinj [C13(E12 + E22) + C33E32];

 

H23 = 2HE cosj - HA cosj + HD sinj + HX0L ;

H28 = - 2HE cosj + 2HD sin2j + HX0L -

- 2sinj [ h6 cos2Q - h5 sin2Q+ 0,5(h4 - h12) sin2Q];

 

H27 = HY0L - 2sinj [ h4 cos2Q - h12 sin2Q - 0,5(h5 + h6) sin2Q];

H30 = HD (2cosj - 1) + HY0M +

+2cosj [h6 cos2Q - h5 sin2Q + 0,5(h4 - h7) sin2Q]-

 

- 2sinj [ h3 cos2Q - h8 sin2Q - 0,5(h1 - h9) sin2Q];

 

H31 = - HX0M +2cosj [h4 sin2Q + h7 cos2Q + 0,5(h5 + h6) sin2Q]-

- 2sinj [ h1 cos2Q - h9 sin2Q + 0,5(h3 - h8) sin2Q];

 

H32 = 2cosj [h10 sinQ + h13 cos2Q] - 2sinj [ h9 cosQ - h8 sinQ];

h1 = 2M0 [ A11E2 - 2C41E1E3 - (C11 - C12)E1E2];

h2 = 2M0 [ A11E1 - C11E22 - C31E32 + 2C41E2E3];

h3 = - 2M0 [ A11E1 + C11E12 + C12E22 + C31E32 + 2C41E2E3];

h4 = M0 [B222E2 - B311E3 - 2D511E1E3 - (D212 - D112)E1E2];

h5 = M0 [B222E1 + D112E22 + D212E12 + D3122 + 2D511E1E3];

h6 = M0 [B222E1 - D112E12 - D212E22 - D312E32 + 2D511E2E3];

h7 = M0 [B222E2 - B311E3 + 2D511E1E3 + (D212 - D112)E1E2];

h8 = - 2M0 [ A14E1 + C14(E12 - E22) + 2C44E2E3];

h9 = 2M0 [ A14E2 - 2(C14E2 + C44E3)E1];

h10 = M0 [B131E1 + D131(E12 - E22)+ 2D431E2E3];

h11 = M0 [B223E2 - D113E1E2 +2D523E1E3];

h12 = - M0 [B222E2 + B311E3 - 2D511E1E3+ (D212 - D112)E1E2];

h13 = - M0 [B131E2 - 2D131E1E2 -2D431E1E3];

h14 = - M0 [B223E1 + D113(E12 - E22)- 2D523E2E3].

Приравнивая нулю определитель шестого порядка системы (2.8),получим выражение для частот АФМР.Использование известных свойств определителей позволяет привести его к треугольной форме и записать в виде произведения диагональных элементов

 

b1, b2, b3, b4, b5, b6 = 0,

b1 = iw/g;

b2 = iw/g + H6;

b3 = iw/g + H13 + (g/iw) H1H11;

b4 = iw/g + H20;

b5 = iw/g + H25 - (H23/b3 )( H15 - (g/iw) H3H11);

b6 = iw/g + H32 - H10 H28 / (iw/g + H6) + + H8 H28 H22 / [(iw/g + H6) (iw/g + H20)].

В (2.9) сохранены лишь члены, линейные по величине HK, которые равны нулю в отсутствии электрического поля.

Решение уравнения дает два вещественных корня, что соответствует низкочастотной и высокочастотной АФМР.

Низкочастотная ветвь АФМР

 

Для низкочастотной ветви АФМР из (2.9) получим

(w1/g)2 + H1H11 + H15H23 = 0(2.10)

Запишем выражение (2.10) в линейном по МЭ-константам приближении:

(w1/g)2 = H0(H0 + HD + HMЭ1 + HMЭ2) + (HD)2 (2.11)

где (HD)2= HD HMЭ2 + HEHMЭ3 - энергетическая МЭ-щель, эффективные МЭ-поля HMЭ1, HMЭ2, HMЭ3 равны

HMЭ1 = 2M0 [B222E1 - D112 - D212E22 - D312E23]; (2.12)

HMЭ2 = 4M0 [2B222E1 + (D212 - D112 )(E12 - E22 ) + 4D511E2E3];

HMЭ3 =- 8M0 [2A11E1 + (C31 - C12 )(E12 - E22 ) + 4D41E2E3]. (2.13)

Как следует из выражения (2.29), поля HMЭ2 и HMЭ3 вносят вклад в энергетическую МЭ-щель.Следует отметить, что в случае сравнимых по величине МЭ-констант доминирующимявляется вклад поля HMЭ3,поскольку он "усиливается" обменным полем.

Для сдвига резонансной линии под действием электрического поля получим

DHE =- [H0 (HMЭ1 + HMЭ2) + (HDMЭ)2 ] / (HD + 2H0). (2.14)

Исследуем три взаимных ориентации электрического и магнитных полей:

1) |||| OY

(w1/g)2 = H0[H0 + HD - 2(2D212 - D112 )M0 E2 ] - - 2HD (D212 - D112 )M0 E2 + 4HE(C11 - C12 ) M0 E2 (2.15)

DHE = 2M0 E2 [H0(2D212 - D112 ) + HD (D212 - D112 ) - - 2HE(C11 - C12 )] / +(HD + 2H0 ) (2.16)

2) || ||OX, || OY

(w1/g)2 = H0[H0 + HD + 6M0 B222E + 2 M0(D212 - D112 )E2 ] + + 2HDM0[ 2B222E +( D212 - D112 )E2 ] - 4HEM0[2A11E + + (C11 - C12 ) E2 ]; (2.17)

DHE = - 2M0 { H0[3B222E +( D212 - D112 )E2 ] + HD[2B222E +( D212 - D112 )E2 ] - 2HE [2A11E +(C11 - C12 )E2]} (2.18)

3). ||OZ (C3), || OY

(w1/g)2 = H0(H0 + HD - 2D312 M0E2 ); (2.19)

DHE = 2D312H0M0E / (HD + 2H0 ) (2.20)

Если учесть, что М мало по сравнению с L и пренебречь в выражении (2.3) членами с константами , то формулы (2.16), (2.18) и (2.20) принимают более простой вид

1) ||||OY

DHE = - 4HEM0(C11 - C12 )E2 / (HD + 2H0 ) (2.21)

2) ||||OY

DHE =4HEM0 [2A11E + (C11 + C12 )E2 ] / (HD + 2H0 ) (2.22)

2) || OZ, || OY

DHE = 0 (2.23)

Высокочастотная ветвь АФМР

Для высококачественной ветви АФМР из (2.9) получается, с учетом только МЭ-констант А и С

(w1/g)2 = HD( H0 + HD )+ 2 HE ( -HA+ HМЭ4 + HМЭ5 ) – - HAHМЭ4, (2.24)

где HМЭ4= - 4M0 ( A11E1 + C11E12 + C12E22 + C31E32 + 2C41E2E3];

HМЭ5 = 4M0 [C13 (E12 + E22 ) + C33E32].

Сдвиг резонансной линии при приложении электрического поля равен

DHE = [HAHМЭ4 - 2 HE (HМЭ4 - HМЭ5 )] / HD (2.25)

По аналогии с низкочастотной ветвью рассмотрим три частотных случая:

1) || || OY

DHE = - 4 [ HAC12+ 2HE(C11 - C12 ) ] M0E2 / HD (2.26)

2) || OX, || OY

DHE =- 4M0 [ HAC31- 2HE(C31 - C33 ) ] E2 / HD (2.27)

2) || OZ, || OY

DHE =- 4M0 [ HAC31- 2HE(C31 - C33 ) ] E2 / HD (2.28)

Структура 3z+2x+

Для данной структуры выражение (2.1) принимает вид

WМЭ = A11 [ E1 (L12 + L22 ) - 2E2L1L2] + 2A14 [E1L2L3 - E2L1L3] + + B111 [ E1(L1M1 - L2M2) - E2(L1M2 + L2M1)] + + B123 (E1L2 - E2L1)M3 + B231(E2M1 - E1M2) L3 + + C12 ( E12L22 + E22L12 ) + C13 ( E12+ E22) L32 + + C31 ( L12+ L22) E32 + C33 E32 L32 + + 2C14 [ (E12 - E22 )L2 + 2E1E2L1] L3 + + 2C41 [E2(L12 - L22 ) + 2E1L1L2] E3+4C44 [E3L3 + E1L1]E3L3 + + 2(C11 - C12 ) E1E2L1L2 + D111 (E12L1M1 + E22L2M2) + + D122 (E12L2M2 + E22L1M1) + D133( E12+ E22) L3M3 + (2.29)

+ D311E32(L1M1 + L2M2) + D333E32M3+ + D123[(E12 - E22 ) M3 L2 + 2E1E2L1M3] + + 2D411[E2E3(L1M1 - L2M2) + E1E3(L1M2 + L2M1)] + + 2D423(E2L1 + E1L1)E3M3 + D132 [(E12 - E22 )M2 + 2E1E2M1] L3 + + 2D531(E1M1 + E2M2)E3M3 + (D111 - D112)E1E2(L1M2 + L2M1).

Как следует из сравнения(2.3)и (2.29) переход к структуре 3z+2x+ приводит к изменению членов с линейными МЭ-константами Bijk и Dijk. При этом остальные члены остаются без изменений.

Эффективные поля определяются в этом случае соотношениями:

H1M = - B111 (E1L1 - E2L2) - B231E2L3 + B312E3L2 - D111E12L1 - - D122E22L1 - D311E32L1 - 2D411(E2E3L1 + E1E3L2) - - 2D132E1E2E3 - 2D531E1E3L3 - (D111 - D122)E1E2L2 ;

H2M = B111(E1L2 - E2L2) - B231E2L3 + B312E3L2 - D111E12L1 - - D122E22L1 - D311E32L1 - 2D411(E2E3L1 + E1E3L2) - - 2D132E1E2E3 - 2D531E1E3L3 - (D111 - D122)E1E2L2 ;

H3M = - B123(E1L2 - E2L1) - D133(E12 + E22)L3 - D333E32L3 - - D123 [(E12 - E22)L2 + 2E1E2L1] - 2D423E3 (E1L1 + E2L2);

H1L = -2A11(E1L1 - E2L2) + 2A14E2L3 - B111(E1M1 - E2M2) + (2.30)

+ B123E2M3 - B312E3M2 - 2(C11E12 + C12E22 + C31E32)L1 - - 2(C11 - C12)E1E2L2 - D111E22M1 - D122E22M1 - D311E32M1 - - 2D123E1E3M3- 2D411(E2E3M1 + E1E3M2) - - 2D423E1E3M3- (D111 - D122)E1E2M2;

H2L = 2A11(E1L2 + E2L1) - 2A14E1L3 + B111(E1M2 + E2M1) - - B123E1M3+ B312E3M1 - 2(C12E12 + C11E22)L2 - 2C31E32L2 - - 2C14(E12 - E22)L3 + 4C41(E2L2 - E1L1)E3 - 4C44E2E3L3 - - 2(C11 - C12)E1E2L1 - D111E22M2 - D122E12M2 - D311E32M2 - - D123(E12 - E22)M3 + 2D411(E2M2 - E1M1)E3 - 2D423E2E3M3 - - (D111 - D122)E1E2M1 ; H3L = 2A14(E2L1 - E1L2) - B231(E2M1 - E2M1) - 2C13(E12 + E22)L3 - - 2C33E32L3 - 2C14[(E12 - E22)L2 + 2E1E2L1] - - 4C44(E1L1 + E2L2)E3 - D133[(E12 + E22)M3 - E32M3] - - D132[(E12 - E22)M2 - 2E1E2M1] - 2D531(E1M1 + E2M3)E3.

Низкочастотная ветвь АФМР

Решение системы (2.2) с учетом (2.29)позволяетполучить выражения для резонансной частоты

(w1/g)2 = H0(H0 + HD + HMЭ1 + HMЭ2) + (HD)2 (2.31)

где (HD)2= HD HMЭ2 + HEHMЭ2 HMЭ1 = 2M0 [B111E2 - B312E3 - (D122 - D111)E1E2 - D411E1E3] HMЭ2 = 8M0 [B111E2 - (D122 - D111)E1E2 - D411E1E3];
HMЭ3 =- 8M0 [2A11E1 + (C11 - C12 )(E12 - E22 ) + 4C41E2E3].

Сдвиг резонансной линии в этом случае определяется формулой (2.14).

Так же,как и для структуры 3z+2x- рассмотрим три важные для эксперимента случая:

1) |||| OY

(w1/g)2 = H0(H0 + HD ) + 10M0 B11E + 8[MD B111E + + HE(C11 - C12 )E2 ]; (2.32)

DHE = - 2M0 [(5H0 + 4HD) B111E + 4HE(C11 - C12 )E2 ]; (2.33)

2) || OX, || OY

(w1/g)2 = H0(H0 + HD ) - 8HEM0[2A11E + (C11 - C12 ) E2 ]; (2.34)

DHE = 8HEM0 [2A11E +(C11 - C12 )E2] / (HD + 2H0) (2.35)

3) || OZ, || OY

(w1/g)2 = H0(H0 + HD - 2M0B312E); (2.36)

DHE = 2H0M0B312E / (HD + 2H0 ) (2.37)

Пренебрегая в (2.45) членами с МЭ-константами В и D, получим формулы для сдвига резонансной линии, совпадающие с (2.21) - (2.23).

Выражение для высокочастотной ветви спектра АФМР в структуре3z+2x-совпадает с выражением (2.24) для структуры 3z+2x-, если учитывать в (2.29) члены только с МЭ-константами А и С.

В случае отсутствия линейного эффекта (МЭ-константы Aik = 0, Bikn = 0), что имеетместо, например, в структуре 3z+2x-I+ [53] электрическое поле, направленное вдоль тригональной осиприводит в соответствии с (2.3) к изменению только энергии взаимодействия Дзялошинского. При этом магнитное поле может иметь произвольную ориентацию. Используя известную формулу [54], получим выражение для сдвига резонансной линии низкочастотной ветви АФМР

DHE = 2H^M0В312E2 / (HD sinQ) (2.38)

где Q - угол между направлением магнитного поля и тригональной осью кристалла;

H^- резонансное магнитное поле при Q = 90 .

Отметим, что при Q = 90 , выражение (2.38) совпадает с (2.20) при условии H0 << HD . Для высокочастотной ветви, учитывая в (2.3) только члены с МЭ-константами Dikn при Q = 90, выражение для сдвига резонансной линии может быть получено в виде

DHE = 2D312M0E2(H0 / HD + 2) (2.39)

Из (2.36) и (2.39) отношение сдвигов резонансных линий равно

DHE / DHE = (2HD + M0)(HD + 2 H0) / (H0HD) (2.40)

В области малых магнитных полей (H0 << HD ) это отношение сводится к виду

DHE / DHE » 2HD / H0.

Полагая H0= 3 кЭ,получим, что сдвиг высокочастотной линии примерно в сорок раз превышает сдвиг низкочастотной линии.

Экспериментальные результаты

Экспериментальные исследования резонансного МЭ-эффектавыполненына низкочастотной ветви бората железа (FeBO3) [22], частота спектрометра 9.3 ГГц. Образцы имели форму,близкую к диску диаметром 2,5 мм и толщиной50 мкм. Измерения проведены при комнатной температуре. Удельное сопротивление образцов составляло не менее 10 Ом×см.Электрическое поле, направление которого было выбрано вдоль тригональной оси, подавалось в форме прямоугольных импульсов, минимальная длительность которых составляла 2 мс.

Измеряемый эффектнаблюдалсяввидесмещения резонансной линии под действием постоянного электрического поля. Величина эффекта возрасталас уменьшением угла между постоянным магнитным полем и тригональной осью кристалла (рис. 1.2) и не зависела от длительности импульса электрического поля, что указывает на отсутствие нагрева образца. На рис. 1.3 представлена зависимость сдвига резонансногомагнитного поля от электрическогополя для Q = 30, причем эта зависимость носит квадратичный характер.

Анализ экспериментальных зависимостей (рис. 1.2, 1.3) показывает, что они удовлетворительно описываются формулой (2.38). МЭ-константа D312 может быть найдена из выражения (2.38) для сдвига резонансного магнитного поля:

D312= 2.7×10(кВ/см).

Зная величины МЭ-констант, можно определить добавку к полю Дзялошинского, обусловленную МЭ-взаимодействием:

DHDМЭ / DHВ = 4,8 ×10-3

в поле Е = 300 кВ/см.

Рассмотрим механизм резонансного МЭ-эффекта в борате железа и проведем оценку МЭ-константы. Как показано в [55], природа взаимодействия Дзялошинского в СФМ типа бората железа определяется анизотропным обменным взаимодействием. Энергия взаимодействия Дзялошинского в расчете на один ион, полученная во втором порядке теории возмущений [55], имеет вид

где - волновые функции, представляющие собой суперпозиции волновых функций двух соседних ионов в кристаллическом поле;

- операторы обменногоиспин-орбитального взаимодействий. Сумма этих операторов использована в качестве оператора возмущения;

DWnk - расщепление уровней энергии основной конфигурации иона в кристаллическом поле;

Wn - основной уровень энергии иона.

Оценим изменение энергии взаимодействия Дзялошинского во внешнем постоянном электрическом поле. При этом квадратичный резонансный МЭ-эффект описывается энергетическими членами, полученными в четвертом порядке теории возмущений.

где - оператор электрической энергии;

DWnl в отличиеот DWnk и DWnm характеризует расстояние между основной и возбужденной конфигурацией иона, имеющими противоположную четность.

Полученное выражение описывает механизм резонансного МЭ-эффекта в борате железа.Из него следует, что внешнее электрическое полеприводитк смешению волновых функций, соответствующих уровням энергии иона с противоположной четностью. Спин-орбитальное взаимодействие, в свою очередь, приводит к изменению анизотропной обменной энергии.

Рис. 2.2. Угловые зависимости резонансного магнитного поля (1) и сдвига резонансной линии (2) под действием электрического поля Е=330 кВ/см.


Рис. 2.3. Зависимость сдвига резонансной линии от электрическогополя для Q = 30°.Ширина резонансной линиипри Q = 90° равна 10 Э.

Выделяя в энергетических суммах доминирующие слагаемые, найдем относительное изменение энергии взаимодействия Дзялошинского в электрическом поле

DWDE / WD = DHDМЭ / HD = WE2 / (DWnl ×DWnm) ,

где

Для численной оценки полагаем DWnl» 104 см-1, DWnm»10-2 см-1 [1], WE = 30 cм-1 в поле Е=300 кВ/см.

Тогда получим DHD / HD »10-3 , что по порядку величины согласуется с данными эксперимента. Таким образом,проведенныеоценкимеханизма резонансного МЭ-эффекта подтверждают, что энергия Дзялошинского в борате железа обусловлена анизотропнымобменным взаимодействием.

предыдущий раздел | содержание| следующий раздел

Поиск в журналах РАЕ:

Хроника

14-17 марта 2024

С 14 по 17 марта 2024 г. Академия Естествознания приняла участие в XXXI МИНСКОЙ МЕЖДУНАРОДНОЙ КНИЖНОЙ ВЫСТАВКЕ «ММКВЯ-2024», которая прошла в Административном выставочном комплексе БелЭкспо.

30 января 2024

30 января Академией естествознания в рамках дистанционных педагогических проектов была проведена научно-практическая конференция "ПРИОРИТЕТНЫЕ НАПРАВЛЕНИЯ РАЗВИТИЯ СОВРЕМЕННОГО ОБРАЗОВАНИЯ" для педагогов средних, средних специальных и высших учебных заведений.

18-22 октября 2023 года Франкфуртская книжная выставка

Российская Академия Естествознания приняла участие в прошедшей 18-22 октября 2023 года 75-ой Франкфуртской книжной выставке Frankfurter Buchmesse 2023

24 ноября 2023

24 ноября 2023 г. в Москве состоялась Осенняя Сессия РАЕ 2023

15 ноября 2023

15 ноября Академией естествознания в рамках дистанционных педагогических проектов была проведена научно-практическая конференция "СОВРЕМЕННОЕ ОБРАЗОВАНИЕ. ПРОБЛЕМЫ И РЕШЕНИЯ" для педагогов средних, средних специальных и высших учебных заведений.

Яндекс цитирования

Google+

© 2005–2020 Российская Академия Естествознания

Телефоны:
+7 499 709-8104, +7 8412 30-41-08, +7 499 704-1341, +7 8452 477-677, +7 968 703-84-33
+7 499 705-72-30 - редакция журналов Издательства
Тел/Факс: +7 8452 477-677

E-mail: stukova@rae.ru

Адрес для корреспонденции: 101000, г. Москва, а/я 47, Академия Естествознания.

Служба технической поддержки - support@rae.ru